半导体分立器件测试仪

IST8800提供了40种测量参数，它们分别为：
·三极管：Icbo,lceo,lebo,Bvcbo,Bvebo,Bvceo,Vce(sat)Vbe{sat}Hfe，Icer,1Cesm，Icev,BVCer，BvceS,Bvcev；
·二极管：Ir,BVr,Vr·齐纳二极管：BVz,lzr,Vzr,Vzf  J—FET：Idss；Igss,BVgss,gm，SCR&TRIAC：+/|lgt,+/|vgt  
·稳压器：+/_VO,+lib，△V  MOS-PET：Idss，Igss,BVdss,Vgs(th)
性能特点：·后备电池的CMOS RAM，提供56个不同测试程序的参数与数据的存储功能·全部可编程的DUT恒流源和电压源
· 300μS脉冲测试或直流测试·内置继电器矩阵提供更加灵活并且准确的测量·软件自校准功能·内部自动保护电路在DUT加电前，检测开路、短路，PH结反向，辨别器件类型(NPN或PNP、P-沟道或N-沟道)，校验正确的连接·测试分辨率小到0.1nA电流，大到1200V电压

·重复“回路”式测试解决了元件发热与间歇的问题。

技术规格：

参数规范： 漏电流：三极管 icbo,iceo,icev,ices,ice r二极 izr 
          J/MOS-FET 栅极电压： idss 
测试范围 
分辨率 
精度 
测试条件 
0 ～ 2mA 
1μA 
+/-1% 
0 ～ 600V* 
0 ～ 20μA 
10nA 
+/-1% 
0 ～ 600V* 
0 ～ 2μA 
1nA 
+/-1% 
0 ～ 600V* 
0 ～ 200μA 
0.1nA 
+/-3% 
0 ～ 600V* 
击穿电压：三极管 Bvcbo,Bvceo,Bvebo,Bvcev,Bvces,Bvcer,  
        齐纳二极管 Vzr J/MOS场效应管BVgss/bvdss  

测试范围 
分辨率 
精度 
测试条件 
0 ～ 30V 
0.15V 
+/-1% 
0 ～ 10 mA 
30 ～ 600V 
3V 
+/-2% 
0 ～ 2 mA 
正向导通电压：三极管 Vce(sat)Vbe(sat)二极管Vf
            J/MOS 场效应管Vgs(th) 极管Bvr齐纳管Vzf
测试范围 
分辨率 
精度 
测试条件 
0 ～ 4V 
1 mV 
+/-1% 
0 ～ 5A(1c.1f) 
0 ～ 15V 
1 mV 
+/-2% 
0 ～ 1A(1b) 
三极管电流增益 Hfe 
测试范围 
分辨率 
精度 
测试条件 
0 ～ 9999 
1 
+/-2% 
0 ～ 10(Vce) 
0.5mA ～ 5A(lc) 
齐纳二极管反向击穿压BVz 
测试范围 
分辨率 
精度 
测试条件 
0 ～ 4V 
1mV 
+/-1% 
0 ～ 0.5A 
4 ～ 60V 
15mV 
+/-1% 
0 ～ 0.5A 
J/MOS场效应管lgss，稳压器静态电流+/-lgt 
测试范围 
分辨率 
精度 
测试条件 
0 ～ 200 mA 
0.1 mA 
+/-1% 
0 ～ 30V 
0 ～ 20 mA 
1μA 
+/-1% 
0 ～ 30V 
0 ～ 2μA 
10 nA 
+/-1% 
0 ～ 30V 
0 ～ 2μA 
1 nA 
+/-2% 
0 ～ 30V 
J型场效应管跨导gm 
测试范围 
分辨率 
精度 
测试条件 
0 ～ 99mMHo 
0.05 mMHo 
+/-1% 
0 ～ 30V 
0 ～ 99μMHo 
0.05μMHo 
+/-1% 
0 ～ 30V 
0 ～ 99nMHo 
0.05 nMHo 
+/-2% 
0 ～ 30V 
可控硅管和三端双向可控硅管触发电流 +/-lgt 
测试范围 
分辨率 
精度 
测试条件 
0 ～ 1A 
5 mA 
+/-1% 
0.9 ～ 5V 
0 ～ 100 mA 
0.5 mA 
+/-1% 
0.9 ～ 5V 
0 ～ 10 mA 
50μA 
+/-1% 
0.9 ～ 5V 
0 ～ 1 mA 
5μA 
+/-1% 
0.9 ～ 5V 
0 ～ 1μA 
0.5μA 
+/-1% 
0.9 ～ 5V 
可控硅管和三端双向可控硅管擎住电流 lh 
测试范围 
分辨率 
精度 
测试条件 
0 ～ 200 mA 
1 mA 
+/-1% 
0.9 ～ 5V 
可控硅管和三端双向可控硅管触发电压 +/-Vgt、稳压器输出电压+/-Vo、稳压器电压差
△V 
测试范围 
分辨率 
精度 
测试条件 
0 ～ 4V 
1 mV 
+/-1% 
0 ～ 30V 
4 ～ 40V 
10 mV 
+/-1% 
0 ～ 30V